2025年，内存市场将迎来“超级周期”：供需失衡，价格飙升

引言

在人工智能的推动下，内存市场正迎来一个前所未有的“超级周期”。摩根士丹利的报告指出，2025年将出现“前所未有”的供需失衡，内存价格也将随之水涨船高。

人工智能的快速发展对DRAM和HBM内存的需求激增，预计到2025年，HBM的供应不足率将达到-11%，而整个DRAM市场的供应不足率将高达-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

由于过去两年资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这为内存市场的超级周期提供了动力。内存的价格预计将在2024年每季度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高。

在内存市场中占据战略地位的公司，如SK海力士和三星，其市场份额预计将进一步增长。摩根士丹利将内存行业2024-25年的每股收益预测提高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%。

客户现在更加重视确保能够获得足够的内存供应，而不是仅仅关注价格。由于供应的不确定性，客户愿意为确保供应支付更高的价格。

内存市场通常每两年会出现一次短暂的供需平衡，这种周期性是由半导体制造业的长期资本投资周期驱动的。但这个周期有所不同，当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自2022年第三季度以来产能一直在下降。

预计到2025年，HBM总可寻址市场（TAM）预计将显著增长，从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元，市场份额将占整个DRAM市场的30%以上。

AI驱动的内存“超级周期”将为行业战略地位的公司：SK海力士和三星电子带来份额的增长。摩根士丹利将SK海力士目标价提高11%至30万韩元，三星电子目标价提高至10.5万韩元。

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